アッテネータを作りました。
今回は、次の３種のアッテネータ（ATT）を作りました。
①60MHzまで対応 耐入力5W -30dB
②145MHzまで対応 耐入力20W -30dB
③60MHzまで対応 耐入力1W -10dB
上の写真は、①の「耐入力5W -30dB」の外観です。
NanoVNAで測定した様子は次の通りです。50MHz帯くらいまでは実用的です。
パーツは、次の写真の通りです。酸化金属皮膜抵抗で作っています。抵抗値の計算などは、icom社のホームページ「エレクトロニクス工作室（著：冨川寿夫氏）」の「No.192 20W用アッテネータ」の記事末で公開されているエクセルシートを参考にしました。
ケースの加工は、ドリルでの穴あけのみです。短時間でできます。
この①の5Wタイプを作ってみて、ケース（アース側）と抵抗器の距離の工夫で144MHz帯くらいまではSWR特性を良くできそうだと気が付き、②のATTを製作しました。
この写真は「②145MHzまで対応 耐入力20W -30dB」の外観です。薄いケース中に、並列接続で合成したした酸化金属皮膜抵抗を配置しています。耐入力を高めるため合成抵抗にしました。
測定したところ、②は144MHz帯くらいまでは実用的な感じです。パーツの配置は重要ですね！